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Characteristics of SiC MOSFET in a Wide Temperature Range
编号：110
访问权限：仅限参会人
更新：2021-07-21 20:06:16 浏览：780次
口头报告
报告开始：2021年08月27日 10:45（Asia/Shanghai）
报告时间：15min
所在会场：[Room1] Oral Session 1 [S1&S2] WBG Device Modeling, Simulation and Reliability
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摘要
In order to expand the application of SiC MOSFET in a wide temperature range, the performance of SiC MOSFET from 25 °C to 425 °C is studied in this paper by taking the 1.2 kV QPM3-1200-0013D as an example. Different from the device characteristics given in the data sheet or previous articles at only three discrete temperatures or temperatures below 250 °C, the temperature-dependent static characteristics of SiC MOSFET are remeasured and nonlinearly characterized in a wide temperature
range in this paper. In addition, considering the improvement effect of SiC Schottky barrier diode on the reliability of SiC MOSFET’s body diode, the temperature-dependent static characteristics of SiC Schottky barrier diode are also analyzed in this paper, which provides guidance for the high-temperature pre-design and application of SiC MOSFET.
关键词
SiC MOSFET,Schottky barrier diode (SBD),High Temperature
报告人
Mengyu Zhu
Xi'an Jiaotong University稿件作者
全部评论
重要日期
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会议日期
08月25日
2021
至08月27日
2021
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04月21日 2021
摘要截稿日期
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05月15日 2021
摘要录用通知日期
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06月25日 2021
终稿截稿日期
-
08月24日 2021
报告提交截止日期
-
08月27日 2021
注册截止日期
主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
承办单位
Huazhong University of Science and Technology
联系方式
- Dr. 刘老师
- li******@vip.163.com
历届会议
-
2025年08月15日 中国 Beijing
2025 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia -
2023年08月27日 台湾-中国 Hsinchu
2023 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia -
2018年05月17日 中国 xian
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
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