报告详情
Design of a 10kW, High-Frequency Dual Active Bridge Converter Using SiC Devices
编号：78
访问权限：仅限参会人
更新：2021-07-21 20:05:56 浏览：622次
口头报告
报告开始：2021年08月27日 14:15（Asia/Shanghai）
报告时间：15min
所在会场：[Room2] Oral Session 2 [S7&S8] WBG Power Converters & WBG Device Characteristic and Converter Modeling
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摘要
Dual active bridge (DAB) converter is widely used as a dc transformer in high power applications. This paper gives a general design method for high-frequency DAB converter using silicon carbide (SiC) MOSFETs, and gives mathematical analysis for designing the inductor and transformer for the DAB converter. The inductance calculation is critical in the designing process, especially in the high-frequency area, considering the dead-time effect and zero-voltage-switching (ZVS) requirement. It can be divided into four steps, including converter power requirement, inductor energy requirement, dead-time effect requirement and rms of the inductor current. A 10kW, 100kHz DAB converter using SiC MOSFETs is built, achieving ZVS turn-on successfully. The efficiency is up to 97.1% at 10kW, and the power density is 4.18W/cm3.
关键词
Dual active bridge; SiC ; inductor; ZVS; deadtime
报告人
Haoyuan Jin
Xi'an Jiaotong University稿件作者
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重要日期
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会议日期
08月25日
2021
至08月27日
2021
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04月21日 2021
摘要截稿日期
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05月15日 2021
摘要录用通知日期
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06月25日 2021
终稿截稿日期
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08月24日 2021
报告提交截止日期
-
08月27日 2021
注册截止日期
主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
承办单位
Huazhong University of Science and Technology
联系方式
- Dr. 刘老师
- li******@vip.163.com
历届会议
-
2025年08月15日 中国 Beijing
2025 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia -
2023年08月27日 台湾-中国 Hsinchu
2023 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia -
2018年05月17日 中国 xian
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia
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